中文字幕乱码人妻二区三区丨久久久久久久岛国免费观看丨欧美顶级metart裸体全部自慰丨欧美成人免费全部观看丨亚洲小说乱欧美另类

  華虹集團(tuán)旗下全球領(lǐng)先的特色工藝純晶圓代工企業(yè)——華虹半導(dǎo)體有限公司宣布，其95納米SONOS（Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon）嵌入式非易失性存儲器（eNVM，Embedded Non-Volatile Memory）工藝平臺通過不斷的創(chuàng)新升級，技術(shù)優(yōu)勢進(jìn)一步增強(qiáng)，可靠性大幅提升。

  華虹半導(dǎo)體95納米SONOS eNVM工藝技術(shù)廣泛應(yīng)用于微控制器（MCU）、物聯(lián)網(wǎng)（IoT）等領(lǐng)域，具有穩(wěn)定性好、可靠性高、功耗低等優(yōu)點(diǎn)。相對上一代技術(shù)，95納米SONOS eNVM 5V工藝實(shí)現(xiàn)了更小設(shè)計(jì)規(guī)則，芯片面積得以縮小；邏輯部分芯片門密度較現(xiàn)有業(yè)界同類工藝提升超過40%，達(dá)到業(yè)界領(lǐng)先水平；所需光罩層數(shù)較少，能夠提供更具成本效益的解決方案。同時(shí)，95納米SONOS eNVM 5V工藝具有更高集成度和領(lǐng)先的器件性能，存儲介質(zhì)擦/寫特性達(dá)到了2毫秒的先進(jìn)水平；低功耗器件驅(qū)動能力提高20%，僅用5V器件可以覆蓋1.7V至5.5V的寬電壓應(yīng)用。

  華虹半導(dǎo)體持續(xù)深耕，95納米SONOS eNVM采用全新的存儲器結(jié)構(gòu)以及優(yōu)化操作電壓，進(jìn)一步優(yōu)化了閾值電壓的窗口。在相同測試條件下，SONOS IP的擦寫能力達(dá)到1000萬次，可靠性提升20倍；在85℃條件下，數(shù)據(jù)保持能力可長達(dá)30年，處于國際領(lǐng)先水平。華虹半導(dǎo)體致力于持續(xù)優(yōu)化工藝水平，在提升數(shù)據(jù)保持能力條件下，同時(shí)提升擦寫次數(shù)，更好地滿足市場對超高可靠性產(chǎn)品的需求。

  此外，隨著高可靠性工藝平臺及衍生工藝受到青睞，華虹半導(dǎo)體基于SONOS工藝的eNVM更可以涵蓋MTP（Multi-Time Programmable Memory）應(yīng)用。通過簡化設(shè)計(jì)、優(yōu)化IP面積和減少測試時(shí)間等，在IP面積、測試時(shí)間、使用功耗和擦寫能力上比MTP性能更優(yōu)，更具競爭力。在此基礎(chǔ)上增加配套的可選器件，進(jìn)一步滿足電源管理和RF類產(chǎn)品的需求。

  華虹半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁孔蔚然博士表示：“嵌入式非易失性存儲器技術(shù)向來是華虹半導(dǎo)體的‘王牌’之一，一直保持著業(yè)界領(lǐng)先地位，為廣大MCU客戶提供了靈活多樣的技術(shù)平臺。在‘8英寸+12英寸’戰(zhàn)略定位的指引下，華虹半導(dǎo)體在8英寸平臺上，通過縮小存儲單元IP面積、減少光罩層數(shù)等方式來進(jìn)一步強(qiáng)化嵌入式閃存技術(shù)工藝；同時(shí)，我們發(fā)揮12英寸平臺更小線寬特性，打造高性能的嵌入式非易失性存儲器工藝技術(shù)平臺，在鞏固智能卡芯片制造領(lǐng)航者地位的同時(shí)，滿足物聯(lián)網(wǎng)、MCU、汽車電子等高增長的市場需求。”